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Título : Diseño y construcción de un horno de inducción de baja potencia utilizando IGBT'S para fundir metales ligeros (<1200 ºc)".
Director(es): Pérez Gutiérrez, Milton Fabricio
Autor: Aguirre Guachamín, Rubén Dario
Plasencia Lema, Freddy Geovanny
Palabras clave : HORNO DE INDUCCIÓN
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
BOBINAS DE INDUCCIÓN
FUNDICIÓN DE METALES
Fecha de publicación : 2018
Editorial: Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE Extensión Latacunga. Carrera de Ingeniería Electromecánica.
Citación : Aguirre Guachamín, Rubén Dario. Plasencia Lema, Freddy Geovanny (2018). Diseño y construcción de un horno de inducción de baja potencia utilizando IGBT'S para fundir metales ligeros (<1200 ºc)". Carrera de Ingeniería en Electromecánica. Departamento de Eléctrica y Electrónica. Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE. Extensión Latacunga.
Abstract: En la actualidad en las industrias se necesita el calentamiento o fundición de los metales de forma rápida y controlada. En un horno de inducción el calor es generado por la inducción eléctrica de un metal que se encuentra en un crisol, alrededor del cual se encuentran enrolladas bobinas magnéticas. Este proceso de calentamiento se puede realizar mediante las leyes de (Faraday y Ampere) y el efecto joule, aumentando la temperatura del metal se somete a fundir. los componentes de un sistema de inducción son: las bobinas, conformado por las bobinas de fuerza y por las bobinas de refrigeración, la fuente de alimentación, la etapa de acoplamiento de la carga, el sistema de enfriamiento, el material refractario que protege a las bobinas de la pieza a fundir. Este trabajo se realiza el diseño y construcción del horno de inducción y del sistema de refrigeración incorporada la más avanzada tecnología de transistores de potencia de tipo IGBT´s. Con el correcto cálculo de diseñó, se construyó un prototipo que se evaluara en condiciones reales de operación, mediante una prueba de una muestra de aluminio se obtuvo valores de medida para realizar el análisis, los mismos que están dentro de la norma IEEE 159 del CONELEC, cumpliendo con el porcentaje de la norma que es de 5% del VTHD y TDD.
URI : http://repositorio.espe.edu.ec/handle/21000/14999
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