Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://repositorio.espe.edu.ec/handle/21000/14061
Título : Diseño y construcción de redes de distribución de potencia para la banda KU en tecnología de guía de onda integrada en substrato (SIW)
Director(es): Haro Báez, Raúl Vinicio
Autor: Llugsha Toapanta, Edwin Roberto
Palabras clave : MICROONDAS - SISTEMAS DE COMUNICACIÓN
ANTENAS
TRANSMISIÓN DE DATOS
SIMULACIÓN HÍBRIDA
Fecha de publicación : 2018
Editorial: Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE. Carrera de Ingeniería en Electrónica y Telecomunicaciones.
Citación : Llugsha Toapanta, Edwin Roberto (2018). Diseño y construcción de redes de distribución de potencia para la banda KU en tecnología de guía de onda integrada en substrato (SIW). Carrera de Ingeniería en Electrónica y Telecomunicaciones. Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE. Matriz Sangolquí.
Abstract: El presente trabajo sobre acopladores direccionales con igual distribución de potencia a la salida y con distribución arbitraria en tecnología Substrate Integrated Waveguide (SIW), propone diseños y construcción de acopladores direccionales en la banda K. Para lo cual se investigó sobre guías de onda rectangulares con dieléctrico y acopladores direccionales híbridos. El diseño de Butler Matriz Riblets en la banda K, se realizó a partir de una estructura de acopladores direccionales de -3dB y 0dB, este obtiene al unir 4 acopladores direccionales de -3dB y uno de 0dB, adicional a ello 2 desfasadores de 45 grados que permiten la unión entre acopladores. Una vez completo el diseño, en el simulador CST Microwave Studio se debe tomar en cuenta el acoplamiento de impedancias para logar un acople adecuado entre el diseño en SIW y los conectores SMA. Para una máxima transferencia de potencia, se usan transiciones tipo taper, estas transiciones logran un correcto acoplamiento de impedancias de 50 Ohm entre la matriz de Butler y los terminales SMA. Además, se obtuvieron los resultados de los niveles de transmisión y aislamiento observando el parámetro S11 que debe estar aproximadamente bajo los -30 dB y los valores de aislamiento inferiores a -20 dB. Finalmente, los resultados obtenidos permiten mostrar un correcto diseño de los acopladores direccionales y el buen funcionamiento de la matriz de Butler para posteriormente y como parte final del proyecto implementar la matriz de Butler comparando los valores simulados con los medidos.
URI : http://repositorio.espe.edu.ec/handle/21000/14061
Aparece en las colecciones: Tesis - Carrera de Ingeniería en Electrónica y Telecomunicaciones

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
T-ESPE-057621.pdfTRABAJO DE TITULACIÓN4.19 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir
T-ESPE-057621-D.pptxDEFENSA12.71 MBMicrosoft Powerpoint XMLVisualizar/Abrir
T-ESPE-057621-R.pdfRESUMEN25.62 kBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.